1.1 研究背景和意义
空心阴极放电是一种阴极为空腔状结构的特殊放电形式。由于这一特殊空腔结构,放电存在“空心阴极效应(HCE)”[1]。与正常辉光放电相比,空心阴极放电具有如下特点:(1)工作气压高,维持电压低,电流密度大;(2)体等离子体区内的电子、离子密度高;(3)空心阴极放电中具有大量高能电子;(4)阴极孔内存在强烈的溅射。基于以上特点,空心阴极放电已广泛地应用于光谱化学[2,3]、等离子体喷涂[4,5]、等离子体推进器[6]等领域。*近,人们又开发了射频空心阴极放电等离子体源(radio frequency hollow cathode discharge,RF-HCD),它是射频容性耦合等离子体源(radio frequency capacitively coupled plasma,RF-CCP)的一种特殊结构,其特点是将射频源施加于空心阴极上。在 RF-HCD 结构中,存在两种机制来加强电离:高频效应和 HCE。因此,RF-HCD 能取得比常规的 RF-CCP 更高的等离子体密度。而提高等离子体密度是提高薄膜沉积速率的有效方法,因此射频空心阴极放电经常用于薄膜的快速沉积 [7-9]、干刻蚀[10] 和材料的表面处理中[11,12]。
但利用 RF-HCD 产生的高密度等离子体一般在空腔内部,经常得不到充分利用。利用气流喷射技术可以导出空心阴极内产生的高密度等离子体[13],这样就可以在空心阴极的外部利用其孔内放电产生的高密度等离子体。另外一种引出高密度等离子体的方法是采用所谓“增强型辉光放电”模式,它通常是在放电的轴向方向外加磁场,从而使高密度等离子体得以向孔外延伸[14,15]。
在实际的RF-HCD的应用中,为了得到良好的刻蚀或沉积产品,对刻蚀和沉积中等离子体的物理过程进行研究是极其必要的[16]。这些研究包括RF-HCD的HCE特性、RF-HCD的孔外等离子体密度增强机理、放电参数(如电源电压、阴极孔径、孔深等)对HCE和孔外等离子体密度的影响等。而通过实验方法很难获得射频放电中一个周期内不同时刻放电参数的变化,从而也很难通过实验方法来研究RF-HCD中等离子体的物理过程。而计算机仿真模拟则可以很好地再现一个周期内放电参数的变化,因此,它是研究RF-HCD中等离子体物理过程的较好方法。