为了使相关读者更深入了解掌握微电子工艺技术的原理,本书前部分主要介绍了集成电路制备工艺中有关的物理、化学知识,第4章至第10章是全书**,介绍了工艺过程、工艺设备以及IC制备中的新技术、新方法。全书共分10章,主要内容涉及半导体硅材料及化合物的化学性质,高纯水的制备,清洗技术,氧化、扩散、刻蚀、制版、外延、金属化处理、电子封装等主要工艺的原理等。
本书可作为高等院校相关专业的教材,也可作为教师和研究生的参考用书,同时也能供广大从事微电子相关领域的工程技术人员参考。

1 硅材料及硅化合物化学性质
1.1 硅单晶的化学性质
1.2 硅化合物的化学性质
1.3 高纯硅制备的化学原理
参考文献
2 微电子技术中的高纯水制备
2.1 天然水中的杂质
2.2 ���电子技术工程用水
2.3 离子交换法制备纯水
2.4 电渗析法制备纯水的原理
2.5 反渗透法制备纯水的原理
参考文献
3 微电子技术中的化学清洗
3.1 晶片表面清洗的重要性
3.2 晶片清洗的基本理论和方法
3.3 颗粒吸附状态分析及优先吸附模型
3.4 表面活性剂在化学清洗中的应用
3.5 硅片清洗的常用方法与技术
3.6 清洗工艺设备和**操作
3.7 溶液清洗技术的现状和发展方向
3.8 新型清洗技术
参考文献
4 氧化工艺技术
4.1 二氧化硅膜在器件中的作用
4.2 二氧化硅的结构和性质
4.3 二氧化硅膜制备的化学原理
4.4 二氧化硅一硅界面的物理性质
4.5 二氧化硅玻璃中的杂质
4.6 杂质在二氧化硅中的扩散
4.7 二氧化硅膜质量的检验
参考文献
5 扩散工艺技术
5.1 扩散原理与模型
5.2 常用扩散杂质的化学性质
5.3 扩散分布的测量分析
参考文献
6 刻蚀工艺技术
6.1 湿法刻蚀
6.2 干法刻蚀
6.3 刻蚀技术新进展
参考文献
7 制版工艺技术
7.1 制版工艺过程
7.2 超微粒干版制备的化学原理
7.3 铬版制备技术
7.4 氧化铁版制备的化学原理
参考文献
8 外延生长技术
8.1 硅外延技术在IC发展中的作用
8.2 硅外延生长的化学原理
8.3 外延生长动力学
8.4 外延层中杂质浓度分布
8.5 硅烷热分解法外延与选择外延
8.6 外延层上的缺陷及检验
8.7 硅外延自掺杂效应及控制
8.8 硅外延片滑移线产生及消除技术
8.9 硅外延生长的工艺优化——反向补偿法
参考文献
9 金属化处理技术
9.1 化学气相沉积金属过程
9.2 物理气相沉积金属过程
9.3 电极制备
参考文献
10 电子封装技术
10.1 封装技术概述
10.2 陶瓷封装
10.3 塑料封装
10.4 封装的化学原理
参考文献