第1章 引言
1.1 半导体材料
1.2 半导体器件
1.3 半导体工艺技术
1.4 基本工艺步骤
1.5 总结
参考文献
第2章 晶体生长
2.1 从熔融硅中生长单晶硅
2.2 硅的区熔(float-zone)法单晶生长工艺
2.3 砷化镓晶体的生长技术
2.4 材料特性
2.5 总结
习题
参考文献
第3章 硅的氧化
3.1 热氧化过程
3.2 氧化过程中的杂质再分布
3.3 二氧化硅的掩模特性
3.4 氧化质量
3.5 氧化层厚度特性
3.6 氧化模拟
3.7 总结
参考文献
习题
第4章 光刻
4.1 光学光刻(Optical lithography)
4.2 新一代的曝光法
4.3 光刻模拟
4.4 总结
参考文献
习题
第5章 刻蚀
5.1 湿法化学刻蚀(wet chemical etching)
5.2 干法刻蚀
5.3 刻蚀仿真
5.4 总结
参考文献
习题
第6章 扩散
6.1 基本扩散工艺
6.2 非本征扩散
6.3 横向扩散
6.4 扩散模拟
参考文献
习题
第7章 离子注入
7.1 注入离子的范围
7.2 注入损伤和退火
7.3 注入相关工艺
7.4 离子注入模拟
7.5 习题
第8章 薄膜淀积
8.1 外延生长技术
8.2 外延层结构及缺陷
8.3 电介质淀积
8.4 多晶硅淀积
8.5 金属化
8.6 淀积模拟
8.7 总结
参考文献
习题
第9章 工艺集成
9.1 无源单元
9.2 双极型工艺
9.3 MOSFET技术
9.4 MESFET技术
9.5 MEMS技术
9.6 工艺模拟
9.7 总结
参考文献
习题
第10章 集成电路制造
10.1 电测试
10.2 封装
10.3 统计工艺控制
10.4 统计实验设计
10.5 成品率
10.6 计算机集成制造
10.7 总结
参考文献
习题
第11章 未来趋势和挑战
11.1 未来的挑战
11.2 片上系统
11.3 总结
参考文献
习题
附录
索引