第1章 电力电子器件
摘要 本章介绍了普通晶闸管的结构和工作原理;介绍了普通晶闸管的阳极伏安特性与主要参数、门极伏安特性和主要参数;介绍了晶闸管的型号含义、简易测试与使用方法;介绍了GTR、GT0、电力MOSFET和IGBT的结构、工作原理以及它们的驱动与缓冲电路,为正确选择、使用这些器件以及后续章节的学习奠定基础。
在电力电子电路中能实现电能变换的开关电子器件称为电力电子器件(power electronicdevice)。从广义上讲,电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类,本书涉及的器件都是指半导体电力电子器件。
晶闸管原称可控硅,是硅晶体闸流管的简称。它是自20世纪70年代发展起来的一种较理想的大功率变流新器件,它的出现使大功率变流技术进入了一个新时代,所以电力电子技术又称为晶闸管变流技术。晶闸管(Thirsted)包括:普通晶闸管(SCR)、快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、可关断晶闸管(GTO)和光控晶闸管等。由于普通晶闸管面世早,应用极为广泛,因此在无特别说明的情况下,本书所说的晶闸管都为普通晶闸管。
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