第1章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体产业的发展
1.3 电路集成
1.4 集成电路制造
1.5 半导体产业的发展趋势
1.6 电子时代
第2章 集成电路器件物理
2.1 硅半导体的基本物理特性
2.2 金属一氧化物一半导体二极管
2.3 金属一氧化物一半导体场效应晶体管
2.4 短沟道效应
2.5 轻掺杂漏极(idd)mosfet器件
2.6 器件缩小原理(scaling principle)
2.7 纳米mosfe3器件中的载流子输运模型及其特性
2.8 发展硅纳电子学集成电路的限制
参考文献
第3章 半导体材料物理化学基础及加工技术
3.1 相图和固溶度
3.2 晶体结构和缺陷
3.3 硅片的生长技术
3.4 区熔法生长单晶
3.5 gaas单晶体的液封直拉法生长技术
3.6 布氏法生长gaas
3.7 晶片成形
3.8 晶片的测试分析技术
参考文献
第4章 半导体制备用材料及化学品
4.1 概述
4.2 清洗技术用高纯度化学品
4.3 光刻技术用材料及化学品
4.4 刻蚀技术用高纯度化学品
4.5 化学气相沉积

第1章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体产业的发展
1.3 电路集成
1.4 集成电路制造
1.5 半导体产业的发展趋势
1.6 电子时代
第2章 集成电路器件物理
2.1 硅半导体的基本物理特性
2.2 金属一氧化物一半导体二极管
2.3 金属一氧化物一半导体场效应晶体管
2.4 短沟道效应
2.5 轻掺杂漏极(idd)mosfet器件
2.6 器件缩小原理(scaling principle)
2.7 纳米mosfe3器件中的载流子输运模型及其特性
2.8 发展硅纳电子学集成电路的限制
参考文献
第3章 半导体材料物理化学基础及加工技术
3.1 相图和固溶度
3.2 晶体结构和缺陷
3.3 硅片的生长技术
3.4 区熔法生长单晶
3.5 gaas单晶体的液封直拉法生长技术
3.6 布氏法生长gaas
3.7 晶片成形
3.8 晶片的测试分析技术
参考文献
第4章 半导体制备用材料及化学品
4.1 概述
4.2 清洗技术用高纯度化学品
4.3 光刻技术用材料及化学品
4.4 刻蚀技术用高纯度化学品
4.5 化学气相沉积工艺用材料及化学品
4.6 平坦化技术用材料及化学品
4.7 结论
参考文献
第5章 硅片清洗工艺
5.1 晶片清洗概论
5.2 晶片清洗的要求
5.3 湿式化学清洗技术
5.4 物理清洗技术
5.5 干式清洗技术
5.6 清洗设备的结构
5.7 总结及对未来清洗技术的展望
参考文献
第6章 氧化工艺
6.1 概述
6.2 sio,膜的结构、性质及其作用
6.3 热氧化的原理
6.4 氧化方法
6.5 氧化工艺的设备
6.6 氧化膜的质量评价
参考文献