作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的*新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容;基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺:标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺,**探讨了无源器件的设计与匹配性问题,二极管设计,双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用,以及某些专门领域的内容,包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等;*后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。本书可作为相关专业高年级本科生和研究生教材,对于专业版图设计人员也是一本**价值的参考书。

第1章 器件物理
1.1 半导体
1.2 pn结
1.3 双极型晶体管
1.4 mos晶体管
1.5 jfet晶体管
1.6 小结
1.7 习题
第2章 半导体制造
2.1 硅制造
2.2 光刻技术
2.3 氧化物生长和去除
2.4 扩散和离子注入
2.5 硅淀积和刻蚀
2.6 金属化
2.7 组装
2.8 小结
2.9 习题
第3章 典型工艺
3.1 标准双极工艺
3.2 多晶硅栅cmos工艺
3.3 模拟bicmos
3.4 小结
3.5 习题
第4章 失效机制
4.1 电过应力
4.2 玷污
4.3 表面效应
4.4 寄生效应
4.5 小结
4.6 习题
第5章 电阻
5.1 电阻率和方块电阻(薄层电阻)
5.2 电阻版图
5.3 电阻变化
5.4 电阻的寄生效应
5.5 不同电阻类型的比较
5.6 调整电阻阻值
5.7 小结
5.8 习题
第6章 电容和电感
6.1 电容
6.2 电感
6.3 小结
6.4 习题
第7章 电阻和电容的匹配
7.1 失配的测量
7.2 失配的原因
7.3 器件匹配规则
7.4 小结
7.5 习题
第8章 双极型晶体管
8.1 双极