本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、品格缺陷、杂质影响等多方面的内容,并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念;系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状,并指出了今后的发展方向。其内容广泛,数据详实,可作为高等院校、科研院所和相关单位从事半导体材料学习、科研和开发人员的参考用书。

**部分 半导体体硅晶体
2 硅:半导体材料
W.Heywang.K.H.Zaininger
2.1 引言
硅应用于半导体器件的50年是个里程碑。值此之际,撰写了这一系
列文章并编著成书,以阐述所有与之相联系的技术在诸多方面的进展、
现状以及公认的未来趋势。各���章涉及的主题有:
(1)单晶生长及其在工业应用中的可重复性;
(2)多晶和非晶硅;
(3)外延技术和薄膜;
(4)晶体缺陷、杂质和掺杂;
(5)形成微纳结构的各种工艺;
(6)从微电子、功率电子、光电子和微机械领域用户利益角度提出的材料要求;
(7)与其他材料如Ⅲ-V族化合物以及整个生物电子领域的界面。
该书是关于硅的,不言而喻所有文章将**强调材料方面。
这项事业应该做也有用,因为硅与其他任何材料有所不同,它极大地改变了我们的世界。特别是,如果没有硅可用,整个信息和通讯技术的发展将完全不同。因此,我们完全有理由称之为硅时代,就像人们谈论到的石器、铜器、青铜器或者铁器时代,在那些时代都有一种特殊材料成为当时进步的主要特征,并被选为那个时代的名称。这里,我们将论及许多单项的技术进步,它们甚至超过了钢铁,并*终使得硅成为今天我们所知道的这样。上面所提及的各种主题证明了这一点。*后不得不承认,由于浓厚技术兴趣的倾注,硅成为小部分得到充分研究的固体之一,对硅的研究为材料科学做出了重大贡献。
我们应邀为该书写一篇绪论,因为我们属于极少数从硅时代开始就经历这一发展过程的人,并且原来作为科技人员后来又在管理岗位任职。我们中的一员(W.Heywang)在西门子(Siemens)开始从事材料研究,后来从事器件应用。另一位(K.H.Zaininger)在美国新泽西普林斯顿的RCA实验室,他将研究精力投入在硅器件技术上。我们对各种问题以及引人注目的事件内涵的理解拥有无可置疑的优势。另外,也可能存在片面性。……

1 导论:各种形式的硅
1.1 引言
1.2 从20世纪60年代到70年代初:能带
1.3 20世纪70年代:应用于硅的表面理论
1.4 20世纪80年代:硅的结构能
1.5 20世纪90年代:硅团簇与量子点的结构和电子性质
1.6 未来展望
参考文献
**部分 半导体体硅晶体
2 硅:半导体材料
2.1 引言
2.2 早期历史
2.3 硅研究中的竞争与合作
2.4 *初的器件应用
2.5 MOS技术和集成
2.6 结论
参考文献
3 硅:一个工业奇迹
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生产工艺
参考文献
第二部分 多晶硅
4 电子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分类
4.3 多晶硅生长和微晶结构
4.3.1 CVD多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 CVD多晶硅晶界化学
4.3.4 多晶硅的掺杂
4.4 多晶硅的电性能
4.5 结论
参考文献
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生产工艺的历史与现状
5.2.2 薄膜沉积工艺
5.3 光伏硅的输运特性
5.3.1 缺陷及杂质对硅输运性质的影响
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太阳电池
5.4.1 硅太阳电池技术与其他技术的比较
5.4.2 多晶硅太阳电池技术
5.5 结论
参考文献
第三部分 外延,薄膜和多孔层
6 分子束外延薄膜
6.1 设备原理和生长机理
6.2 历史概述;
6.3 应变异质结构的稳定性
6.3.1 应变层的临界厚度
6.3.2 亚稳态膺晶生长
6.3.3 器件结构的加工和退火
6.4 硅MBE生长膜中掺杂剂的分布
6.4.1 掺杂问题
6.4.2 突变和δ型掺杂分布
6.5 半导体器件研究
6.5.1 异质结双极晶体管(HBT)
6.5.2 SiGeMOSFET和MODFET
6.5.3 垂直MOSFET结构
6.6 若干研究**介绍
6.6.1 级联激光器
6.6.2 表面结构
6.6.3 自组织和有序化
6.7 结论
参考文献
7 氢化非晶硅(a-Si:H)
7.1 引言
7.2 a-Si的制备和结构性质
7.3 a-Si:H的电学性质
7.4 光致发光和光电导
7.5 亚稳态
7.6 a-Si太阳电池
参考文献
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅掺杂
第六部分 某些杂质的作用
第七部分 器件
第八部分 对硅的补充:化合物半导体
第九部分 新的研究领域
List of Contribrtors