**章 无机材料的受力形变
§1.2 无机材料中晶相的塑性形变
二、塑性形变的位错运动理论
实际晶体中存在位错缺陷,当受剪应力作用时,并不是晶体内两部分整体相互错动,而是位错在滑移面上沿滑移方向运动。使位错运动所需的力比使晶体两部分整体相互滑移所需的力小得多。所以实际晶体的滑移是位错运动的结果。
位错是一种缺陷,在原子排列有缺陷的地方一般势能较高,如图1.13所示。
内力平衡时原子处于势能*低的位置。有了位错情况就不同了,在位错处出现势能空位,邻近的原子C2迁移到空位上需要克服的势垒h比h小。克服势垒h所需的能量可由升高温度的热能或由外力所做的功来提供。在外力作用下,滑移面CD上就有分剪应力т,此时势能曲线变得不对称,C2原子迁移到空位要克服的势垒为日(т),且H(т)<h。就是说,的作用使h降低,Cz原子迁移到空位更加容易,也就是刃形位错线向右移动更加容易。т的作用提供了克服势垒所需的能量。显然,日(т)叫做“位错运动激活能”,和т有关。т大,H(т)小;т小,H(т)大,故日(т)为т的函数。当没有剪应力作用时,H(т)*大,此时日(т)=h。
一个原子能脱离平衡位置的几率是由波尔兹曼因子e-a/er决定的。E为激活能。位错既是一种缺陷,其运动速度也应由波尔兹曼因子决定,所以可把位错运动的速度写成:
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