半导体材料(第二版)
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图书详情
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出版社
-
ISBN9787030128171
-
作者
-
页数264
-
出版时间2004年05月01日
-
定价¥26.00
-
所属分类
内容提要
本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材。本书介绍主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理,工艺和特性的控制等。全书分11章:第1章为硅和锗的化学制备;第2章为区熔提纯;第3章为晶体生长;第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷;第5章为硅外延生长;第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体;第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长;第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体;第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体;第10章为氧化物半导体材料;第11章为其他半导体材料。
本书也可以作为从事与半导体相关研究工作的科研人员和相关专业研究生的参考书。
本书也可以作为从事与半导体相关研究工作的科研人员和相关专业研究生的参考书。
目录
再版前言
前言
绪论
第1章 硅和锗的化学制备
1-1硅和锗的物理化学性质
1-2高纯硅的制备
1-3锗的富集与提纯
第2章 区熔提纯
2-1分凝现象与分凝系数
2-2区熔原理
2-3锗的区熔提纯
第3章 晶体生长
3-1晶体生长理论基础
3-2熔体的晶体生长
3-3硅、锗单晶生长
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4-1硅、锗晶体中杂质的性质
4-2硅、锗晶体的掺杂
4-3硅、锗单晶的位错
4-4硅单晶中...... 更多
前言
绪论
第1章 硅和锗的化学制备
1-1硅和锗的物理化学性质
1-2高纯硅的制备
1-3锗的富集与提纯
第2章 区熔提纯
2-1分凝现象与分凝系数
2-2区熔原理
2-3锗的区熔提纯
第3章 晶体生长
3-1晶体生长理论基础
3-2熔体的晶体生长
3-3硅、锗单晶生长
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4-1硅、锗晶体中杂质的性质
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