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  英汉翻译教程（修订本）
  ￥5.80

本书是在2000年1月北京大学出版社出版的《微电子学概论》一书的基础上形成的。本书主要介绍了微电子技术的发展历史,半导体物理和器件物理基础知识,集成电路及s0C的制造、设计以及计算机辅助设计技术基础,光电子器件,微机电系统技术、半导体材料、封装技术知识,*后给出了微电子技术发展的一些规律和展望。本书的特点是让外行的人能够看懂,通过阅读这本书能够对微电子学能有一个总体的、全面的了解;同时让内行的人读完之后不觉得肤浅,体现出了微电子学发展极为迅速的特点,将微电子学领域中的一些*新观点、*新成果涵盖其中。 本书可以作为微电子专业以及电子科学与技术、计算机科学与技术等相关专业的本科生和研究生的教材或教学参考书,同时也可以作为从事微电子或电子信息技术领域工作的科研开发人员、项目管理人员全面了解微电子技术的参考资料。

**章 绪论
1.1 晶体管的发明
1.2 集成电路的发展历史
1.3 集成电路的分类
1.3.1 按器件结构类型分类
1.3.2 按集成电路规模分类
1.3.3 按结构形式分类
1.3.4 按电路功能分类
1.3.5 集成电路的分类小结
1.4 微电子学的特点
第二章 半导体物理和器件物理基础
2.1 半导体及其基本特性
2.1.1 金属-半导体-绝缘体
2.1.2 半导体的掺杂
2.2 半导体中的载流子
2.2.1 半导体中的能带
2.2.2 多子和少子的热平衡
2.2.3 电子的平衡统计规律
2.3 半导体的电导率和载流子输运
2.3.1 迁移率
2.3.2 过剩载流子
2.4 pn结
2.4.1 平衡pn结
2.4.2 pn结的正向特性
2.4.3 pn结的反向特性
2.4.4 pn结的击穿
2.4.5 pn结的电容
2.5 双极晶体管
2.5.1 双极晶体管的基本结构
2.5.2 晶体管的电流传输
2.5.3 晶体管的电流放大系数
2.5.4 晶体管的直流特性曲线
2.5.5 晶体管的反向电流与击穿电压
2.5.6 晶体管的频率特性
2.6 mos场效应晶体管
2.6.1 mos场效应晶体管的基本结构
2.6.2 mis结构
2.6.3 mos场效应晶体管的直流特性
2.6.4 mos场效应晶体管的种类
2.6.5 mos场效应晶体管的电容
第三章 大规模集成电路基础
3.1 半导体集成电路概述
3.2 cmos集成电路基础
3.2.1 集成电路中的mosfet
3.2.2 mos数字集成电路
3.2.3 cm