出版日期：2014年04月
ISBN：9787301241097
[十位：7301241097]
页数：391
定价：￥52.00
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《硅集成电路工艺基础(第二版)》内容提要：
《硅集成电路工艺基础(第2版21世纪微电子学专业规划教材普通高等教育十五**级规划教材)》系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，**放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章，其中**章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，*后两章分别讲述的是工艺集成和薄膜晶体管的制装工艺。
《硅集成电路工艺基础(第2版21世纪微电子学专业规划教材普通高等教育十五**级规划教材)》可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。
《硅集成电路工艺基础(第2版21世纪微电子学专业规划教材普通高等教育十五**级规划教材)》系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，**放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章，其中**章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点，第二章到第九章分别讲述了硅集成电
《硅集成电路工艺基础(第二版)》图书目录：
**章 硅晶体和非晶体
1.1 硅的晶体结构
1.1.l 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共价四面体
1.1.4 晶体内部的空隙
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.2.1 晶向
1.2.2 晶面
1.2.3 堆积模型
1.2.4 双层密排面
1.3 硅晶体中的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷 **章 硅晶体和非晶体
1.1 硅的晶体结构
1.1.l 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共价四面体
1.1.4 晶体内部的空隙
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.2.1 晶向
1.2.2 晶面
1.2.3 堆积模型
1.2.4 双层密排面
1.3 硅晶体中的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷
1.3.4 体缺陷
1.4 硅中的杂质
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
1.6 非晶硅结构和特性
1.6.1 非晶硅的结构
1.6.2 非晶网络模型
1.6.3 非晶态半导体的制备方法.
1.6.4 非晶硅半导体中的缺陷
1.6.5 氢化非晶硅
1.6.6 非晶硅半导体中的掺杂效应
参考文献
第二章 氧化
2.1 SiO2的结构及性质
2.1.1 结构
2.1.2 SiO2的主要性质
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式
2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数
2.2.3 掩蔽层厚度的确定
2.3 硅的热氧化生长动力学
2.3.1 硅的热氧化
2.3.2 热氧化生长动力学
2.3.3 热氧化SiO2生长速率
2.4 决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素
2.4.1 决定氧化速率常数的各种因素
2.4.2 影响氧化速率的其他因素
2.5 热氧化过程中的杂质再分布
2.5.1 杂质的再分布
2.5.2 再分布对硅表面杂质浓度的影响
2.6 初始氧化及薄氧化层的制备
2.6.1 快速初始氧化阶段
2.6.2 薄氧化层的制备
2.7 Si-SiO2界面特性
2.7.1 可动离子电荷Qm
2.7.2 界面陷阱(捕获)电荷Qit
2.7.3 SiO2中固定正电荷Qf
2.7.4 氧化层陷阱电荷Qot
参考文献
第三章 扩散
3.1 杂质扩散机制
3.1.1 间隙式扩散
3.1.2 替位式扩散
3.2 扩散系数与扩散方程
3.2.1 菲克**定律
3.2.2 扩散系数
3.2.3 菲克第二定律(扩散方程)
3.3 扩散杂质的分布
3.3.1 恒定表面源扩散
3.3.2 有限表面源扩散
第四章 离子注入
第五章 物理气相淀积
第六章 化学气相淀积
第七章 外延
第八章 光刻工艺
第九章 金属化与多层互联
第十章 工艺集成
第十一章 薄膜晶体管制造工艺
附录 **章 硅晶体和非晶体
1.1 硅的晶体结构
1.1.l 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共价四面体
1.1.4 晶体内部的空隙
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.2.1 晶向
1.2.2 晶面
1.2.3 堆积模型
1.2.4 双层密排面
1.3 硅晶体中的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷
1.3.4 体缺陷
1.4 硅中的杂质
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
1.6 非晶硅结构和特性
1.6.1 非晶硅的结构
1.6.2 非晶网络模型
1.6.3 非晶态半导体的制备方法.
1.6.4 非晶硅半导体中的缺陷
1.6.5 氢化非晶硅
1.6.6 非晶硅半导体中的掺杂效应
参考文献
第二章 氧化
2.1 SiO2的结构及性质
2.1.1 结构
2.1.2 SiO2的主要性质
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式
2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数
2.2.3 掩蔽层厚度的确定
2.3 硅的热氧化生长动力学
2.3.1 硅的热氧化
2.3.2 热氧化生长动力学
2.3.3 热氧化SiO2生长速率
2.4 决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素
2.4.1 决定氧化速率常数的各种因素
2.4.2 影响氧化速率的其他因素
2.5 热氧化过程中的杂质再分布
2.5.1 杂质的再分布
2.5.2 再分布对硅表面杂质浓度的影响
2.6 初始氧化及薄氧化层的制备
2.6.1 快速初始氧化阶段
2.6.2 薄氧化层的制备
2.7 Si-SiO2界面特性
2.7.1 可动离子电荷Qm
2.7.2 界面陷阱(捕获)电荷Qit
2.7.3 SiO2中固定正电荷Qf
2.7.4 氧化层陷阱电荷Qot
参考文献
第三章 扩散
3.1 杂质扩散机制
3.1.1 间隙式扩散
3.1.2 替位式扩散
3.2 扩散系数与扩散方程
3.2.1 菲克**定律
3.2.2 扩散系数
3.2.3 菲克第二定律(扩散方程)
3.3 扩散杂质的分布
3.3.1 恒定表面源扩散
3.3.2 有限表面源扩散
第四章 离子注入
第五章 物理气相淀积
第六章 化学气相淀积
第七章 外延
第八章 光刻工艺
第九章 金属化与多层互联
第十章 工艺集成
第十一章 薄膜晶体管制造工艺
附录