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微电子器件与IC设计基础(第二版)(内容一致,印次、封面或原价不同,统一售价,随机发货)
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微电子器件与IC设计基础(第二版)(内容一致,印次、封面或原价不同,统一售价,随机发货)

  • 作者:刘刚
  • 出版社:科学出版社
  • ISBN:9787030253774
  • 出版日期:2009年08月01日
  • 页数:305
  • 定价:¥45.00
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    内容提要
    本书主要讲述微电子器件和集成电路的基础理论。内容包括:微电子器件物理基础;PN结;双极晶体管及MOSFET结构、工作原理和特性;JFET及MES—FET概要;集成电路基本概念及集成电路设计方法。共计7章。
    目录
    第二版前言
    **版前言
    符号表
    第1章 半导体物理基础
    1.1 半导体材料
    1.1.1 半导体材料的原子构成
    1.1.2 半导体材料的晶体结构
    1.2 半导体中的电子
    1.2.1 量子力学简介
    1.2.2 半导体中电子的特性与能带
    1.2.3 载流子
    1.3 热平衡状态下载流子的浓度
    1.3.1 电子的统计分布规律
    1.3.2 载流子浓度与费米能级的关系
    1.3.3 本征半导体与杂质半导体
    1.4 载流子的输运
    1.4.1 载流子的散射
    1.4.2 载流子的漂移运动与迁移率
    1.4.3 漂移电流与电导率
    1.4.4 扩散运动与扩散系数
    1.4.5 电流密度方程与爱因斯坦关系式
    1.5 非平衡载流子
    1.5.1 非平衡载流���的复合与寿命
    1.5.2 准费米能级
    1.6 连续性方程与扩散方程
    1.6.1 连续性方程
    1.6.2 扩散方程
    思考题1
    习题1
    第2章 pn结
    2.1 平衡pn结能带图及空间电荷区
    2.1.1 平衡pn结能带图
    2.1.2 pn结的形成过程
    2.1.3 平衡pn结的载流子浓度分布
    2.2 理想pn结的伏安特性
    2.2.1 pn结的正向特性
    2.2.2 pn结的反向特性
    2.2.3 理想pn结的伏安特性
    2.3 实际pn结的特性
    2.3.1 pn结空间电荷区中的复合电流
    2.3.2 pn结空间电荷区中的产生电流
    2.3.3 pn结表面漏电流与表面复合、产生电流
    2.3.4 pn结的温度特性
    2.4 pn结的击穿
    2.4.1

    与描述相符

    100

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